Forte demande d’IA : Samsung rajoute des étages à la technologie HBM3E
Samsung annonce avoir mis au point la première DRAM HBM3E à 12 couches, ce qui en fait une mémoire à large bande passante dotée de la capacité la plus élevée à ce jour. Le géant sud-coréen a déclaré que la DRAM HBM3E 12H propose une bande passante maximale de 1 280 Go/s et une capacité […]
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